用TH1992源表快速測試半導(dǎo)體器件I/V特性
研究背景：電子測量儀器作為基礎(chǔ)科研工具，是國家科研自主可控的重要環(huán)節(jié)。在半導(dǎo)體器件、超導(dǎo)材料和光電器件等測試領(lǐng)域中，為了更**地檢測器件特性，提升整個測試系統(tǒng)的效率，往往對供給電源和測量同步性方面有更嚴(yán)苛的要求。
TH1991/TH1992系列精密源/測量單元可輸出高達(dá)±210V直流電壓、±3A直流電流以及±10.5A脈沖電流、*小10fA/100nV的電源和測量分辨率，支持高速采樣，可生成任意波形。
TH1992為雙通道版本，相較于單通道版本，TH1992支持雙通道同步輸出及測量，對于3端器件的測試更友好，可極大提升測試效率。
一、二極管I/V特性
晶體二極管也稱為半導(dǎo)體二極管，簡稱二極管（Diode）。內(nèi)部由一塊P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體經(jīng)特殊工藝加工，在其接觸面上形成一個PN結(jié)。外部有兩個電極，分別稱為正極（P型區(qū)一側(cè)）和負(fù)極（N型區(qū)一側(cè)），使用時不能將正負(fù)極接反。
因此，二極管具有單向?qū)щ娦裕捎糜谡鳌z波、穩(wěn)壓等電路中。用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換等。
衡量二極管特性和核心是二極管的伏安特性曲線（簡稱I/V特性）
二極管分硅管和鍺管
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材料類型
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死區(qū)電壓
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正向?qū)妷?/span>
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硅（Si）
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0.5V
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0.6-0.8V
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鍺（Ge）
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0.1V
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0.2-0.3V
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如何測試二極管的I/V特性？以常見的1N4148保護(hù)二極管為例
TH199X方案VS傳統(tǒng)方案，區(qū)別在哪兒?
連接好之后，操作更簡單
只需8步，可以將二極管正反向IV曲線全部測出，全程觸摸屏操作，無需連接電腦上位機(jī)，曲線可直接截屏及生成csv表格，快捷簡單。
因此，使用TH199X系列精密源/測量單元（SMU）測試更**、更快捷，適合從產(chǎn)線到實驗室各種場合。
